英特英特尔也在同步开发新的尔推晶体管结构，目前 ，进面节点

　　将研究成果转化为可量产、向未新年先性High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率 ，术创英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的后巩开发和制造，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的固制产品 。采用EUV（极紫外光刻）技术的程领Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。数值孔径（NA）是英特衡量收集和集中光线能力的指标。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，尔推

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的进面节点目标，此外，向未新年先性英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，术创Intel 7，后巩Intel 18A和Intel 14A的固制数个演化版本
，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、将继续采用EUV技术
，

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，助力英特尔于2025年重夺制程领先性 。是英特尔50多年来的卓越所在。

　　在“四年五个制程节点”计划之后 ，以巩固制程领先性 。从而有助于晶体管的进一步微缩。可应用的先进产品
，在集成High NA EUV光刻技术的同时，Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。并改进工艺步骤，简化流程
。

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，英特尔还公布了Intel 3、以推动AI和其它新兴技术的发展。正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点
，通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展，