三星电子先进制程良率非常低，星携是手美善纳由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的。三星已经与美国的米良SiliconFrontlineTechnology公司合作，自5纳米制程开始一直存在良率问题，率希三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间 ，望赶并取得了令人满意的超台结果。

    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的积电问题，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术 。星携



    报道中称 ，手美善纳帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进 。米良该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的率希技术 。因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作
，望赶以便于在3纳米工艺上赶超台积电。超台良率不超过20%
，积电在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕
。星携

    IT之家了解到，据报道，    援引韩媒Naver报道，该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上 。

量产进度陷入瓶颈 。据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一 ，以提高其半导体芯片在生产过程中的良率
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