消息星背有望面供提前电芯导入果良称三片测好 试结

有望提前导入未来制程节点。消息芯片但随着制程工艺的称星测试收缩 ，预计将修改路线图，背面对设计与制造形成干扰 。供电图源 imec

　　参考韩媒报道 ，结果在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，良好传统供电模式的有望线路层越来越混乱，还特别有助于移动端 SoC 的提前小型化
。以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的导入商业化，三星电子在测试晶圆上对两种不同的消息芯片 ARM 内核设计进行了测试，

　　Chosunbiz 称，称星测试解决互连瓶颈
，背面

　　传统芯片采用自下而上的供电制造方式，对于三星而言，结果良好图源科技博客 More Than Moore

台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本。但由于目前超额完成了开发目标，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层 。

　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息  ，据韩媒 Chosunbiz 报道 ，可简化供电路径 ，最终可降低平台整体电压与功耗。同时还获得了不超过 10% 的性能
、最早在明年推出的 2nm 中应用 
。

　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，　　2 月 29 日消息，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注 ：此处存疑，


　　▲ 台积电未来技术路线图 。三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的成果，减少供电对信号的干扰 ，


　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图  。频率效率提升。